- 深圳市中杰盛科技有限公司
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经营模式：IC经销商
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
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- 名称：BSM080D12P2C008
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商: ROHM Semiconductor 产品种类: 分立半导体模块 RoHS: 详细信息 产品: Power Semiconductor Modules 类型: SiC Power Module Vgs - 栅极-源极电压: - 6 V, + 22 V 安装风格: Screw 封装 / 箱体: Module 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 150
- 更新：2025-02-25 11:24:07
- 342
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- 名称：VS-FC420SA10
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商: Vishay 产品种类: 分立半导体模块 RoHS: 详细信息 Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 安装风格: Chassis Mount 封装 / 箱体: SOT-227-4 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 175 C 封装: Tube 配置: Single 商标: Vishay / Siliconix 通道数量:
- 更新：2025-02-25 11:24:07
- 343
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- 名称：CGH27030P
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商: Cree, Inc. 产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RoHS: 详细信息 晶体管类型: HEMT 技术: GaN 增益: 15 dB 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 120 V Vgs-栅源极击穿电压 : - 10 V, 2 V Id-连续漏极电流: 7 A 输出功率: 30 W 最大漏极/栅极电压: 28
- 更新：2025-02-25 11:24:26
- 344
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- 名称：T2G6000528-Q3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商: Qorvo 产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RoHS: 详细信息 晶体管类型: HEMT 技术: GaN SiC 增益: 15 dB 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: - Vgs-栅源极击穿电压 : - Id-连续漏极电流: 650 mA 输出功率: 10 W 最大漏极/栅极电压: - 最小工作温度: - 最大工
- 更新：2025-02-25 11:24:07
- 345
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- 名称：TGF2965-SM
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商: Qorvo 产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RoHS: 详细信息 晶体管类型: HEMT 技术: GaN SiC 增益: 18 dB 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: 32 V Vgs-栅源极击穿电压 : - 2.7 V Id-连续漏极电流: 600 mA 输出功率: 6 W 最大漏极/栅极电压: - 最小工作温
- 更新：2025-02-25 11:24:06
- 346
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- 名称：QPD1009
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商: Qorvo 产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RoHS: 详细信息 晶体管类型: HEMT 技术: GaN SiC 增益: 24 dB 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 50 V Vgs-栅源极击穿电压 : 145 V Id-连续漏极电流: 700 mA 输出功率: 17 W 最小工作温度: - 40 C 最大工作
- 更新：2025-02-25 11:24:06
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- 名称：CGH60015D-GP4
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商: Cree, Inc. 产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RoHS: 详细信息 晶体管类型: HEMT 技术: GaN 增益: 15 dB 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 120 V Vgs-栅源极击穿电压 : - 10 V to 2 V Id-连续漏极电流: 1.5 A 输出功率: 15 W 最大漏极/栅极电压:
- 更新：2025-02-25 11:24:05
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- 名称：射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 CGHV40100F
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商: Cree, Inc. 产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RoHS: 详细信息 晶体管类型: HEMT 技术: GaN 增益: 11 dB 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 150 V Vgs-栅源极击穿电压 : 2.7 V Id-连续漏极电流: 8.7 A 输出功率: 100 W 最大漏极/栅极电压: - 最小工作
- 更新：2025-02-25 11:24:05
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- 名称：ISO7762FDBQ
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商: Texas Instruments 产品种类: 数字隔离器 RoHS: 详细信息 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SSOP-16 系列: ISO7762 通道数量: 6 Channel 极性: Unidirectional 绝缘电压: 3000 Vrms 隔离类型: Capacitive Coupling 数据速率: 100 Mb/s 传播延迟时间:
- 更新：2025-02-25 11:24:12
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- 名称：TUSB214QRWBTQ1
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商: Texas Instruments 产品种类: USB 接口集成电路 RoHS: 详细信息 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: X2QFN-12 系列: TUSB214-Q1 产品: USB Signal Conditioners 类型: Redriver 标准: USB 2.0 速度: High Speed 数据速率: 480 Mb/s 电源电压-最小
- 更新：2025-02-25 11:24:04
