- 深圳市中杰盛科技有限公司
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经营模式：IC经销商
所在地区：广东省 深圳
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
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- 名称：MC74VHCT244ADWRG
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商: ON Semiconductor 产品种类: 缓冲器和线路驱动器 RoHS: 详细信息 输入线路数量: 8 Input 输出线路数量: 3 Output 极性: Non-Inverting 电源电压-最大: 5.5 V 电源电压-最小: 4.5 V 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 125 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOIC
- 更新：2023-03-03 16:43:46
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- 名称：EP2C5Q208C8N
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商: Intel 产品种类: FPGA - 现场可编程门阵列 RoHS: 详细信息 产品: Cyclone II 逻辑元件数量: 4608 逻辑数组块数量——LAB: 288 输入/输出端数量: 142 I/O 工作电源电压: 1.15 V to 1.25 V 最小工作温度: 0 C 最大工作温度: + 70 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: QFP-2
- 更新：2023-03-03 16:43:45
- 333
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- 名称：DD100N16S
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商: Infineon 产品种类: 分立半导体模块 RoHS: 详细信息 产品: Diode Power Modules 类型: Rectifier Diode Module Vf - 正向电压: 1.6 V Vr - 反向电压 : 1.6 kV 安装风格: Screw 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 125 C 封装: Tray 配置: Single
- 更新：2023-03-03 16:43:44
- 334
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- 名称：DD380N16K
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商: Infineon 产品种类: 分立半导体模块 RoHS: 详细信息 产品: Diode Power Modules 类型: Rectifier Diode Module Vf - 正向电压: 1.4 V Vr - 反向电压 : 1.6 kV 安装风格: Screw 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 150 C 封装: Tray 配置: Rectifier Diode 商标: Infineon Technologies 产品类型: Discrete Semiconductor Modules 工厂包装数量: 3 子类别: Discrete Semiconductor Modules
- 更新：2023-03-03 16:43:43
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- 名称：BSM080D12P2C008
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商: ROHM Semiconductor 产品种类: 分立半导体模块 RoHS: 详细信息 产品: Power Semiconductor Modules 类型: SiC Power Module Vgs - 栅极-源极电压: - 6 V, + 22 V 安装风格: Screw 封装 / 箱体: Module 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 150
- 更新：2023-03-03 16:43:42
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- 名称：VS-FC420SA10
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商: Vishay 产品种类: 分立半导体模块 RoHS: 详细信息 Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 安装风格: Chassis Mount 封装 / 箱体: SOT-227-4 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 175 C 封装: Tube 配置: Single 商标: Vishay / Siliconix 通道数量:
- 更新：2023-03-03 16:43:41
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- 名称：CGH27030P
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商: Cree, Inc. 产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RoHS: 详细信息 晶体管类型: HEMT 技术: GaN 增益: 15 dB 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 120 V Vgs-栅源极击穿电压 : - 10 V, 2 V Id-连续漏极电流: 7 A 输出功率: 30 W 最大漏极/栅极电压: 28
- 更新：2023-03-03 16:45:07
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- 名称：T2G6000528-Q3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商: Qorvo 产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RoHS: 详细信息 晶体管类型: HEMT 技术: GaN SiC 增益: 15 dB 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: - Vgs-栅源极击穿电压 : - Id-连续漏极电流: 650 mA 输出功率: 10 W 最大漏极/栅极电压: - 最小工作温度: - 最大工
- 更新：2023-03-03 16:43:41
- 339
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- 名称：TGF2965-SM
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商: Qorvo 产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RoHS: 详细信息 晶体管类型: HEMT 技术: GaN SiC 增益: 18 dB 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: 32 V Vgs-栅源极击穿电压 : - 2.7 V Id-连续漏极电流: 600 mA 输出功率: 6 W 最大漏极/栅极电压: - 最小工作温
- 更新：2023-03-03 16:43:40
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- 名称：QPD1009
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商: Qorvo 产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RoHS: 详细信息 晶体管类型: HEMT 技术: GaN SiC 增益: 24 dB 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 50 V Vgs-栅源极击穿电压 : 145 V Id-连续漏极电流: 700 mA 输出功率: 17 W 最小工作温度: - 40 C 最大工作
- 更新：2023-03-03 16:43:39
